產(chǎn)品名稱

中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硫化鎵晶體

英文名稱：HQ graphene GaS Crystal

產(chǎn)品概述

GaS （β相）是一種間接帶隙為~2.6 eV的半導(dǎo)體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。α-GaS屬13族過渡后金屬單硫族化合物。在HQ石墨烯中制備的硫化鎵晶體具有典型的橫向尺寸為~0.6-0.8 cm。晶體呈黃色，透明。

GaS (beta phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.6 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. α-GaS belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.

The Gallium sulfide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm. The crystals are yellow colored and transparent.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:6-8mm

顏色: 淡黃色

產(chǎn)品特點

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = 0.360, b = 0.360 nm, c = 1.553 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應(yīng)用領(lǐng)域

在半導(dǎo)體領(lǐng)域：

制造光電探測器：硫化鎵晶體對特定波長的光具有良好的響應(yīng)，可用于制造高性能的光電探測器。例如，在光纖通信系統(tǒng)中，硫化鎵晶體光電探測器可以將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，實現(xiàn)高速、靈敏的光通信。

太陽能電池：可作為太陽能電池的吸收層材料。比如在薄膜太陽能電池中，硫化鎵晶體有助于提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

在光學(xué)領(lǐng)域：

非線性光學(xué)器件：由于其非線性光學(xué)特性，可用于制造諸如倍頻器、混頻器等非線性光學(xué)器件。例如，在激光系統(tǒng)中，硫化鎵晶體可以實現(xiàn)激光頻率的轉(zhuǎn)換和調(diào)制。

發(fā)光二極管（LED）：作為發(fā)光材料，用于制造高效的發(fā)光二極管。比如在某些特殊用途的 LED 中，硫化鎵晶體能發(fā)出特定波長的光。

在傳感器領(lǐng)域：

氣體傳感器：對某些氣體具有敏感性，可用于檢測特定氣體的濃度。例如，用于檢測環(huán)境中的有害氣體，如硫化氫等。